特許
J-GLOBAL ID：200903026467714087
シリコンウェーハのHF洗浄方法及びHF洗浄装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
木村 高久
, 小幡 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-224846
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071626
出願日： 2002年08月01日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】HF系溶液洗浄において、シリコンウェーハ表面に形成されるピットを抑制し、シリコンウェーハの歩留まりを向上させる。【解決手段】HF系溶液洗浄の際にシリコンウェーハの表面を明状態にしつつ、HF系溶液に浸漬する。表面に金属が付着するシリコンウェーハがHF系溶液に浸漬され、シリコンウェーハが明状態下にある場合は、電子正孔対(e--h+)が生成される。この電子正孔対の電子e-が水素発生還元反応における電子消費量の増加分として補われる。このため、HF系溶液洗浄におけるシリコンウェーハ表面のピット形成が抑制される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
HFを含む溶液にシリコンウェーハを浸漬してシリコンウェーハ表面を洗浄するシリコンウェーハのHF洗浄方法において、
シリコンウェーハ表面に光が照射された状態を保ちつつ、シリコンウェーハをHFを含む溶液に浸漬すること
を特徴とするシリコンウェーハのHF洗浄方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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