薄膜形成方法、薄膜形成装置及び太陽電池

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (3件)：中西次郎 , 中西次郎 , 中西次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112693
公開番号（公開出願番号）：特開2001-295052
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】本発明は、大型基板に、膜厚均一性に優れた薄膜を形成でき、更には、高いスループットで形成可能な薄膜形成方法及び装置を提供することを目的とする。また、特性に優れしかも低コストの太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】成膜室内に配置され、少なくとも1つの給電部と少なくとも1つの接地部とを有する誘導結合型電極と、前記給電部に接続された高周波電源と、該高周波電源から出力される高周波電力をAM変調を行う波形発生器とからなり、AM変調された高周波電力を前記誘導結合型電極に供給してプラズマを発生させ、前記誘導型電極に面して配置された基板上に薄膜を形成する構成としたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの給電部と少なくとも1つの接地部とを有する誘導結合型電極を成膜室内部に配置し、前記給電部にAM変調した高周波電力を供給してプラズマを発生させ、前記誘導結合型電極に面して配置された基板上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/509 , H01L 21/205 , H01L 31/04

FI (3件)：

C23C 16/509 , H01L 21/205 , H01L 31/04 V

Fターム (17件)：

4K030AA06 , 4K030BA30 , 4K030FA04 , 4K030KA14 , 4K030KA49 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045AE17 , 5F045BB02 , 5F045CA13 , 5F051AA05 , 5F051BA12 , 5F051CA16 , 5F051CA23

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-297143 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマCVD装置並びに太陽電池およびこれを作製するプラズマCVD方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-194966 出願人：工業技術院長, アネルバ株式会社, 鐘淵化学工業株式会社, シャープ株式会社
チタン系導電性薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-288118 出願人：アネルバ株式会社

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