特許
J-GLOBAL ID：200903083583355047
チタン系導電性薄膜の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288118
公開番号（公開出願番号）：特開平9-111460
出願日： 1995年10月11日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：
【要約】【目的】 処理室の内部に配置したプラズマ発生電極の一端をコンデンサを介して接地することにより、チタン系導電性薄膜の作製において、塩素混入量の少ない高品質の薄膜を得る。【構成】 1ターンループの形状をしたプラズマ発生電極61の一方の導入端子62を高周波電源52に接続し、他方の導入端子63をコンデンサ81を介して接地する。四塩化チタンを毎分20ミリリットル、水素ガスを毎分30ミリリットル、窒素ガスを毎分10ミリリットルの流量で処理室20に導入し、処理室20内の圧力を約1Paに設定し、基体21の温度を450°C〜600°Cに設定する。高周波電源52の出力を2.5kWとして低圧高密度のプラズマを発生させると、窒化チタンの膜が毎分約30nmの速度で堆積する。得られた窒化チタンの膜は、塩素混入量が1%以下になり、金属光沢のある低抵抗の膜となった。
請求項（抜粋）：
処理室に原料ガスを導入してプラズマCVD法で処理室内の基体上にチタン系導電性薄膜を堆積させるチタン系導電性薄膜の作製方法において、二つの端子を備えたプラズマ発生電極を前記処理室の内部に配置し、このプラズマ発生電極の一方の端子を高周波電力供給源に接続し、他方の端子をコンデンサを介して接地して、前記処理室の内部にプラズマを発生させることを特徴とするチタン系導電性薄膜の作製方法。
IPC (9件)：
C23C 16/50
, C01G 23/00
, C23C 16/14
, C30B 29/02
, C30B 29/10
, C30B 29/38
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H05H 1/46
C23C 16/50
, C01G 23/00 Z
, C23C 16/14
, C30B 29/02
, C30B 29/10
, C30B 29/38 Z
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 R
, H05H 1/46 A
