特許
J-GLOBAL ID：200903049361439516
半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-335898
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108869
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】アニールされたバッファ層上に形成されたバルク単結晶と同等以上の品質を持つ酸化亜鉛層を具える半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化亜鉛の格子定数と整合性が高い格子定数を持つ材料から成る基板と、前記基板上に堆積され、アニールされた酸化亜鉛又は酸化マグネシウムを添加した酸化亜鉛薄膜バッファ層と、前記バッファ層上に堆積された酸化亜鉛薄膜層とを具える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛の格子定数と整合性が高い格子定数を持つ材料から成る基板と、前記基板上に堆積され、アニールされた酸化亜鉛又は酸化マグネシウムを添加した酸化亜鉛薄膜バッファ層と、前記バッファ層上に堆積された酸化亜鉛薄膜層とを具えることを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA41
, 5F041CA73
