特許
J-GLOBAL ID：200903026513895539

窒化物半導体発光素子

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

, 
松下 俊雄

松下 俊雄 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139495
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330621
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【目的】 高出力、長寿命なレーザを実現すると共に信頼性に優れた発光素子を提供する。【構成】 窒化物半導体からなる基板上部に、n側クラッド層を有し、そのn側クラッド層上部に、多重量子井戸構造を有する活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、前記基板と前記n側クラッド層との間にインジウムを含む窒化物半導体層を含む中間層が、そのn側クラッド層と離間して形成されていることにより、窒化物半導体基板の劈開性が良くなり、歩留まりが向上する。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる基板上部に、n側クラッド層を有し、そのn側クラッド層上部に、多重量子井戸構造を有する活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、前記基板と前記n側クラッド層との間にインジウムを含む窒化物半導体層を含む中間層が、そのn側クラッド層と離間して形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (6件)
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