特許
J-GLOBAL ID：200903038617582808
窒化物半導体の電極
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-102542
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293898
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【目的】 p型窒化物半導体と安定して好ましいオーミック接触が得られると共に、接触抵抗の低い電極を提供する。【構成】 p型窒化物半導体層表面に、少なくともパラジウム(Pd)と、窒素と反応しない金属とを含む電極が形成されていることにより、窒素と反応しない金属が窒化物半導体とも反応しないため安定したオーミック接触が得られる。
請求項（抜粋）：
p型窒化物半導体層表面に、少なくともパラジウム(Pd)と、窒素と反応しない金属とを含む電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体の電極。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
