特許
J-GLOBAL ID:200903026529630276
固体撮像装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 栗宇 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-183071
公開番号(公開出願番号):特開2004-031498
出願日: 2002年06月24日
公開日(公表日): 2004年01月29日
要約:
【課題】製造が容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板表面に複数の固体撮像素子100を形成する工程と、前記固体撮像素子100の各受光領域に対向して空隙をもつように、前記半導体基板表面に前記透光性部材200を接合する工程と、前記接合する工程の前または後に、前記半導体基板上の各固体撮像素子を分離する分離領域およびその周辺部に、前記半導体基板を貫通し内壁を導体化された貫通溝108を形成する工程と、前記接合工程で得られた接合体を、各固体撮像素子の側壁に、前記内壁を導体化された貫通溝の一部で構成された側壁配線部109を残すように、前記分離領域DCで、固体撮像素子ごとに分離する工程とを含む。【選択図】図4
請求項(抜粋):
半導体基板表面に複数の固体撮像素子を形成する工程と、
前記固体撮像素子の各受光領域に対向して空隙をもつように、前記半導体基板表面に透光性部材を接合する工程と、
前記接合する工程の前または後に、前記半導体基板上の各固体撮像素子を分離する分離領域およびその周辺部に、前記半導体基板を貫通し内壁を導体化された貫通溝を形成する工程と、
前記接合工程で得られた接合体を、各固体撮像素子の側壁に、前記内壁を導体化された貫通溝の一部で構成された側壁配線部を残すように、前記分離領域で、固体撮像素子ごとに分離する工程とを含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
IPC (3件):
H01L27/14
, H01L23/02
, H04N5/335
FI (3件):
H01L27/14 D
, H01L23/02 J
, H04N5/335 U
Fターム (20件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118CA04
, 4M118EA20
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA34
, 4M118GB11
, 4M118GC08
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 4M118HA30
, 4M118HA31
, 4M118HA33
, 5C024CY47
, 5C024CY49
, 5C024EX21
, 5C024EX43
, 5C024GY01
引用特許:
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