特許

J-GLOBAL ID：200903026572452624

成膜方法

発明者： 伊藤 亜都美 ,  長谷部 一秀 ,  多胡 研治 ,  林 輝幸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-354308
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178010
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 成膜の膜厚を精度良くコントロールすることができる成膜方法を提供する。【解決手段】 被処理体2の表面に成膜を行なう成膜方法において、前記成膜を行なう直前に、前記被処理体の表面に対して有機物を除去するための有機物除去洗浄を施すようにする。これにより、成膜操作の開始直後から膜を付着させ、成膜休止時間の長さを大幅に抑制する。

請求項（抜粋）：

被処理体の表面に成膜を行なう成膜方法において、前記成膜を行なう直前に、前記被処理体の表面に対して有機物を除去するための有機物除去洗浄を施すようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/304 341 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042646   出願人：日本電気株式会社
• 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-108125   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体基板の保管方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068336   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-012107   出願人：ソニー株式会社