特許
J-GLOBAL ID：200903026699901517
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-137480
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319996
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】 実装面積を縮小した小型のパッケージを得ると共に、シリコン基板を用いたビアホールのない安価に製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板40に半導体素子410を形成した後、シリコン基板40に埋め込まれた取り出し電極44を形成し、半導体素子410の電極45と取り出し電極44とを電気的に接続し、絶縁性樹脂47で被覆してからシリコン基板40を裏面より除去することにより、極めて薄型で安価な微小半導体チップの実装に最適の半導体装置の製造方法が実現される
請求項（抜粋）：
シリコン基板の予定の素子形成領域に半導体素子を形成する工程と、前記シリコン基板の前記素子形成領域の外側に位置し予定の取り出し電極となる部分にトレンチ溝を形成する工程と、前記トレンチ溝の少なくとも側面および底面に酸化膜を形成した後、前記トレンチ溝の底面の前記酸化膜を除去する工程と、前記トレンチ溝に埋め込まれた導電性金属よりなる取り出し電極を形成する工程と、前記半導体素子の電極と前記取り出し電極とを電気的に接続する工程と、前記シリコン基板表面を絶縁性樹脂で被覆する工程と、前記シリコン基板を裏面より除去して前記取り出し電極の裏面を露出する工程と、前記絶縁性樹脂をダイシングして個別の半導体素子に分離する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 23/14
, H01L 21/306
, H01L 21/56
, H01L 23/12
, H01L 21/60 301
, H01L 23/48
H01L 21/56 E
, H01L 21/60 301 A
, H01L 23/48 J
, H01L 23/14 S
, H01L 21/306 B
, H01L 23/12 L
5F043AA02
, 5F043GG04
, 5F044AA01
, 5F044JJ03
, 5F061AA01
, 5F061BA07
, 5F061CA21
, 5F061CB13
, 5F061DD13
