炭素薄膜及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-005283
公開番号（公開出願番号）：特開2004-217975
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】非晶質炭素薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】高導電性非晶質炭素膜-基材複合体を製造する方法であって、(1)真空槽で基材をメタンガスプラズマ中に浸し、プラズマ中の正イオンを基材に照射し、基材表層にイオン注入層を形成する、(2)炭化水素を真空槽に導入し、プラズマを生成させ、炭化水素ラジカルを基材に堆積させるとともに、基材に負高電圧パルスを印加し、正イオンを加速して基材に照射する、(3)その際に、高電圧正パルス(0.5〜15kV)を基材に印加し、プラズマ中の電子を基材に照射することにより、表層のみをパルス的に活性化、及び高温状態にする、(4)上記(1)〜(3)により、基材に、高導電性の非晶質炭素膜を堆積させた高導電性非晶質炭素膜-基材複合体を製造する、ことを特徴とする高導電性非晶質炭素膜-基材複合体の製造方法、及びその製品。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

炭化水素プラズマ中の導電性基材に負電圧を印加し、炭化水素ラジカル及びイオンを堆積させて非晶質炭素膜を製造する方法であって、正高電圧パルスを基材に印加することによって、プラズマ中の電子を膜形成過程にある表層に高エネルギーで照射し、表層のみをパルス的に活性化、及び高温状態にしながら膜形成を行うことを特徴とする、電気導電性に優れた非晶質炭素膜の製造方法。

IPC (1件)：

C23C16/26

FI (1件)：

C23C16/26

Fターム (10件)：

4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030BA28 , 4K030BB05 , 4K030CA02 , 4K030CA11 , 4K030DA01 , 4K030FA01 , 4K030HA04 , 4K030LA23

引用特許：

審査官引用 (1件)

導電性硬質炭素皮膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-131095 出願人：住友電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

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