半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-338565
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109034
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】半導体装置において、絶縁膜の薄膜化に伴いともない、絶縁膜を高誘電体薄膜で形成することが研究されているが、この絶縁膜を高誘電体薄膜で形成した際のリーク電流の増加を抑制し、信頼性を大きく改善することが望まれていた。【解決手段】半導体基板表面に形成された酸化アルミニウムもしくはシリコン窒化膜よりなる絶縁膜と、この絶縁膜に接して形成されたイオン結合性絶縁膜を有し、リーク電流の増加を抑制できる半導体装置とその製造方法を提供する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成された酸化アルミニウムもしくはシリコン窒化膜よりなる絶縁膜と、この絶縁膜に接して形成されたイオン結合性の絶縁膜を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L21/8247 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (7件)：

H01L29/78 371 , H01L21/316 M , H01L27/10 434 , H01L29/78 613B , H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , H01L29/78 617V

Fターム (53件)：

5F058BA01 , 5F058BA06 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP54 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP57 , 5F083EP60 , 5F083GA21 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA36 , 5F083PR33 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BD02 , 5F101BH16 , 5F110AA04 , 5F110AA06 , 5F110AA17 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE33 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL06 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35

引用特許：

審査官引用 (9件)

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-368081 出願人：株式会社日立製作所
フローティングゲート電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-342967 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチェンゲゼルシャフト
特開昭63-252482

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