特許
J-GLOBAL ID：200903026812171849

メモリシステムおよびメモリシステムの動作方法

発明者：
加藤 好治

加藤 好治 について

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竹前 義博

竹前 義博 について

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小川 敏男

小川 敏男 について

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遠藤 哲彦

遠藤 哲彦 について

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岡島 義憲

岡島 義憲 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 古谷 史旺 ,  森 俊秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-305621
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115013
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】 不揮発性メモリから揮発性メモリに転送が開始されてから揮発性メモリ内のデータがアクセス可能になるまでの時間を短縮する。【解決手段】 揮発性メモリSDRAMは、不揮発性メモリFLASH用のエラー訂正コードを記憶する揮発付加領域E2を有する。不揮発性メモリFLASHに記憶されたデータをエラー訂正することなく、エラー訂正コードとともに揮発性メモリSDRAMに転送することで、不揮発性メモリFLASHから揮発性メモリSDRAMへのデータの転送時間を短くできる。この結果、不揮発性メモリFLASHから揮発性メモリSDRAMに転送が開始されてからデータがアクセス可能になるまでの時間を短縮できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
データを記憶する不揮発データ領域と前記不揮発データ領域に記憶されるデータのエラーを訂正するためのエラー訂正コードとを記憶する不揮発付加領域を有する不揮発性メモリと、 前記不揮発データ領域および前記不揮発付加領域にそれぞれ対応する揮発データ領域および揮発付加領域を有する揮発性メモリと、 前記不揮発データ領域および前記不揮発付加領域からデータおよびエラー訂正コードを読み出し、読み出したデータおよびエラー訂正コードを前記揮発データ領域および前記揮発付加領域にそれぞれ書き込むメモリコントローラメモリコントローラとを備えていることを特徴とするメモリシステム。
IPC (3件)：
G06F 12/16 ,  G06F 12/06 ,  G06F 12/00
FI (4件)：
G06F12/16 320F ,  G06F12/06 525C ,  G06F12/00 597U ,  G06F12/06 520F
Fターム (12件)：
5B018GA02 ,  5B018HA14 ,  5B018HA33 ,  5B018KA21 ,  5B018MA05 ,  5B018MA23 ,  5B018NA02 ,  5B018NA06 ,  5B018QA03 ,  5B018QA11 ,  5B060CA17 ,  5B060MM02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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