特許
J-GLOBAL ID：200903026853864778

フラッシュメモリのアドレスマッピング方法、マッピング情報管理方法及びこれらの方法を用いたフラッシュメモリ

発明者：
鄭 泰善

鄭 泰善 について

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印 至▲ヒュン▼

印 至▲ヒュン▼ について

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鄭 明珍

鄭 明珍 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-306003
公開番号（公開出願番号）：特開2005-196736
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】論理・物理マッピング手法を用いてフラッシュメモリのアクセス時に性能低下を最小限に抑える方法、フラッシュメモリに前記論理・物理マッピングに関する情報を効率よく格納し管理する方法及びそれらの方法を用いたフラッシュメモリを提供する。【解決手段】書き込みたいデータの最も最近に書き込まれた論理ページ番号を有する物理ページに前記書き込みたいデータとオフセットが一致するセクターが空いているかどうかを判断するステップと、前記判断の結果、前記オフセットが一致するセクターが空いていると、前記物理ページの前記オフセットが一致するセクターにデータを書き込むステップと、前記判断の結果、前記オフセットが一致するセクターが空いていないと、空いているた物理ページを選択し、前記データとオフセットが一致するセクターにデータを書き込み、前記選択された空いた物理ページに前記データに対する論理ページ番号を書き込むステップとを含む。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
所定数のセクターからなるページを有するブロックを一つ以上有し、前記セクターまたは前記ページ単位でデータを書き込み、前記ブロック単位でデータを消去するフラッシュメモリにデータを書き込む方法において、 書き込みたいデータの最も最近に書き込まれた論理ページ番号を有する物理ページに、前記書き込みたいデータとオフセットが一致するセクターが空いているかどうかを判断する第1のステップと、 前記判断の結果、前記オフセットが一致するセクターが空いていると、前記物理ページの前記オフセットが一致するセクターにデータを書き込む第2のステップと、 前記判断の結果、前記オフセットが一致するセクターが空いていないと、空いている物理ページを選択し、前記データとオフセットが一致するセクターにデータを書き込み、前記選択された空いている物理ページに前記データに対する論理ページ番号を書き込む第3のステップと を含むことを特徴とするフラッシュメモリにデータを書き込む方法。
IPC (2件)：
G06F12/02 ,  G06F12/00
FI (3件)：
G06F12/02 510A ,  G06F12/02 570A ,  G06F12/00 597U
Fターム (4件)：
5B060AA02 ,  5B060AA06 ,  5B060AA08 ,  5B060AB26
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第5,404,485号
  • 米国特許第5,937,425号
  • 米国特許第5,905,993号
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審査官引用 (5件)
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