特許
J-GLOBAL ID：200903026897826377

酸化絶縁膜のアニ-ル方法

発明者：
細谷 浩二

細谷 浩二 について

, 
壬生 博昭

壬生 博昭 について


出願人/特許権者：
日本電池株式会社

日本電池株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255956
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068265
出願日： 1998年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流を低減させることができ、短時間で処理できる、キャパシタ絶縁膜として用いられるタンタル酸化膜のアニール方法を提供する。【解決手段】 酸化絶縁膜を形成した試料を350〜600°Cに加熱するとともに、濃度10〜200g/m3 のオゾン雰囲気中で前記試料に紫外線を照射することを特徴とする酸化絶縁膜のアニール方法。
請求項（抜粋）：
酸化絶縁膜を形成した試料を350〜600°Cに加熱するとともに、濃度10〜200g/m3 のオゾン雰囲気中で前記試料に紫外線を照射することを特徴とする酸化絶縁膜のアニール方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/26 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4件)：
H01L 21/316 P ,  H01L 21/26 F ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651
Fターム (22件)：
5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF02 ,  5F058BF51 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF78 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F083AD24 ,  5F083GA06 ,  5F083JA06 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (7件)
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