特許
J-GLOBAL ID：200903026918587556

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者：
船津 顕之

船津 顕之 について

, 
小林 知洋

小林 知洋 について

, 
長谷川 幸士

長谷川 幸士 について

, 
西 恒寛

西 恒寛 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-374831
公開番号（公開出願番号）：特開2007-177016
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【解決手段】式(1)〜(6)の繰り返し単位の含有量が、(1)1〜60モル%、(2)1〜60モル%、(3)1〜50モル%、(4)0〜60モル%、(5)0〜30モル%、(6)0〜30モル%、重量平均分子量3,000〜30,000、分散度1.5〜2.5である高分子化合物。(R1、R3、R4、R7、R9、R11はH又はCH3。Yはメチレン又はO。Yがメチレンの場合R2はCO2R10。YがOの場合R2はH又はCO2R10。R10はC1〜15のアルキル基又はアルキル基にOが挿入された基。R5、R6はH又はOH。R8は3級エステル型酸分解性保護基。R12はHを含むフルオロアルキル基。R12は酸素含有官能基で置換されていてもよく及び/又は炭素-炭素結合間にOを介在させてもよい。)【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂として含むレジスト材料は、高解像度を有し、ラインエッジラフネス及びI/Gバイアスが改善されたものである。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)で示される繰り返し単位のうち、(1)の含有量が1〜60モル%、(2)の含有量が1〜60モル%、(3)の含有量が1〜50モル%、(4)の含有量が0〜60モル%、(5)の含有量が0〜30モル%、(6)の含有量が0〜30モル%であり、重量平均分子量が3,000以上30,000以下であり、分散度が1.5以上2.5以下であることを特徴とする高分子化合物。
IPC (3件)：
C08F 220/28 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
C08F220/28 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (51件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  4J100AJ03T ,  4J100AL03S ,  4J100AL04S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08T ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA03T ,  4J100BA11P ,  4J100BA15P ,  4J100BB07T ,  4J100BB17T ,  4J100BB18T ,  4J100BC03P ,  4J100BC04S ,  4J100BC04T ,  4J100BC08S ,  4J100BC08T ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC09T ,  4J100BC12S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53T ,  4J100BC58P ,  4J100BC58T ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM