特許
J-GLOBAL ID:200903054575465895

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-046286
公開番号(公開出願番号):特開2005-234450
出願日: 2004年02月23日
公開日(公表日): 2005年09月02日
要約:
【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケーション本来の性能向上のための技術における課題を解決したポジ型レジスト組成物、より具体的には、感度・パターンプロファイル等を劣化させることなく、PEB温度依存性・露光マージンなどの諸性能に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 特定の(メタ)アクリル酸エステル繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (2件):
G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (2件):
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (14件):
2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17
引用特許:
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る