特許
J-GLOBAL ID：200903026939054345

イオン発生素子、帯電装置および画像形成装置

発明者：
足立 克己

足立 克己 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-173380
公開番号（公開出願番号）：特開2009-014783
出願日： 2007年06月29日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】低コストで、条件に応じて誘導電極の大きさや形状を適切に設定でき、安定した効率のよい放電を行える、イオン発生素子、帯電装置および画像形成装置を提供する。【解決手段】イオン発生素子1では、放電電極22と誘導電極23とが、上部誘電体21aを挟んで対抗して設けられており、上部誘電体21aの誘導電極23が形成される側の面に、通電により発生するジュール熱で発熱するヒータ電極25を備えている。そして、誘導電極23にはヒータ電流が流れないように、誘導電極23とヒータ電極25とが配されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
放電電極と誘導電極とが誘電体を挟んで対向して設けられており、 上記放電電極と上記誘導電極との間に交番電圧が印加されることにより、沿面放電に伴ってイオンを発生させるイオン発生素子であって、 上記誘電体の上記誘導電極が形成される側の面に、通電により発生するジュール熱で当該イオン発生素子を加温するヒータ電極を、上記誘導電極とは別に備えており、 上記誘導電極にはヒータ電流が流れないように、上記誘導電極と上記ヒータ電極とが配されていることを特徴とするイオン発生素子。
IPC (1件)：
G03G 15/02
FI (1件)：
G03G15/02 101
Fターム (23件)：
2H200FA19 ,  2H200GA12 ,  2H200GA23 ,  2H200GA34 ,  2H200GA44 ,  2H200GA47 ,  2H200GA53 ,  2H200GA61 ,  2H200GB12 ,  2H200GB25 ,  2H200HA11 ,  2H200HB16 ,  2H200HB28 ,  2H200HB48 ,  2H200JA01 ,  2H200JB10 ,  2H200JC03 ,  2H200JC11 ,  2H200JC12 ,  2H200LB02 ,  2H200LB09 ,  2H200LB13 ,  2H200NA05
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 帯電装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-169133   出願人：シャープ株式会社
  • 画像形成装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-098067   出願人：株式会社リコー
  • 画像形成装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-226619   出願人：キヤノン株式会社
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM