特許
J-GLOBAL ID：200903026972406737

半導体装置の作製方法

発明者：
荒井 康行

荒井 康行 について

, 
肥塚 純一

肥塚 純一 について

, 
根本 幸恵

根本 幸恵 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-307074
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079299
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】少ない工程数で不純物を半導体領域に導入する方法を提案することを目的とする。また、歩留まり高く大型のアクティブマトリクス基板を作製する方法を提案することを目的とする。【解決手段】本発明は、半導体領域上に液滴吐出法により不純物元素を含む溶液を吐出した後、レーザ光を照射して半導体領域を溶融すると共に、不純物元素を添加及び活性化して不純物領域を形成することを特徴とする。本発明により、真空プロセスを経ずとも不純物元素濃度を制御しつつ半導体領域へ不純物を導入すること可能である。このため、大面積基板上にTFTを作製することが可能であり、スループットを向上することができる。また、大型のアクティブマトリクス基板を作製することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体領域上に液滴吐出法によりn型またはp型を付与する不純物元素を含む溶液を吐出した後、レーザ光を照射して半導体領域を溶融すると共に、不純物元素を半導体領域に添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (11件)：
H01L21/225 ,  H01L21/22 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786
FI (13件)：
H01L21/225 R ,  H01L21/22 E ,  H01L21/268 E ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301L ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G
Fターム (167件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB30 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD26 ,  4M104DD51 ,  4M104DD63 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE20 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ21 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HL01 ,  5F110HL05 ,  5F110HL07 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110HL27 ,  5F110HM13 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP26 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28 ,  5F140AA40 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF15 ,  5F140BF16 ,  5F140BF17 ,  5F140BG27 ,  5F140BG30 ,  5F140BH15 ,  5F140BH18 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BK02 ,  5F140BK16 ,  5F140BK21 ,  5F140BK28 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC09 ,  5F140CC10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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