半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069987
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264889
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】電流光閉じ込め層の禁制帯幅がクラッド層の禁制帯幅より狭い実屈折率導波型レーザにおいて、雑音の発生や駆動電力の増大を防止して、低消費電力及び低雑音という優れた特性を有する半導体レーザ素子を提供する。【構成】電流光閉じ込め層106を、活性層104の禁制帯幅より大きく、かつ該第1及び第2クラッド層103,105の禁制帯幅より小さい禁制帯幅を有し、その層厚が1μmより小さく、そのAl組成比が0.35以下となる構造とし、そのストライプ溝107の幅が1.0μm以上かつ4μm未満である構造とした。

請求項（抜粋）：

構成材料として、Alを含有する半導体材料を用いた半導体レーザ素子であって、第1導電型の第1クラッド層上に、活性層及び第2導電型の第2クラッド層を順次積層してなる積層構造と、該第2クラッド層の表面上に形成されたストライプ状半導体層と、該第2クラッド層の表面上の、該ストライプ状半導体層の両側部に形成された電流光閉じ込め層とを備え、該電流光閉じ込め層は、該活性層の禁制帯幅より大きく、かつ該第1及び第2クラッド層の禁制帯幅より小さい禁制帯幅を有し、その層厚が1μmより小さく、そのAl組成比が0.35以下となるよう形成したものであり、該ストライプ状半導体層は、その幅が1.0μm以上であって4μm未満の範囲内の値となるよう形成したものである半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (15件)

特公昭57-005070
半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331498 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭60-066894

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