特許
J-GLOBAL ID：200903027136481593

窒化膜の膜質改善方法、及び半導体装置の製造方法

発明者：
星 岳志

星 岳志 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-169460
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005589
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】成膜温度を増加させることなく、窒化膜中の塩素含有量を低減する。【解決手段】シリコン基板10上に、450°Cの成膜温度でSi2Cl6のような塩素含有ガスとNH3とを用いてLPCVD法により1層目窒化膜21を成膜する。その後、アニールガス32としてNH3を用いてアニール処理を行う。1層目窒化膜21の表面に残存する塩素31とアニールガス32とが反応し、反応生成物33となり1層目窒化膜21から離脱する。成膜とアニールとを交互に繰り返し行うことにより、多層の窒化膜21,22,...,2nからなる窒化膜が形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、600°C以下の温度で塩素含有ガスを用いてLPCVD法により窒化膜層を成膜する成膜工程と、 前記窒化膜層が成膜された前記基板をアニールするアニール工程と、 を含み、 前記成膜工程と前記アニール工程とを繰り返し行うことによって、複数の前記窒化膜層からなる窒化膜を形成することを特徴とする窒化膜の膜質改善方法。
IPC (2件)：
H01L21/318 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L21/318 B ,  H01L29/78 301G
Fターム (23件)：
5F058BA01 ,  5F058BC08 ,  5F058BD02 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140CE10
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)

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