特許
J-GLOBAL ID：200903027177196321
半導体装置とその製造方法、回路基板、電気光学装置、及び電子機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-296589
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136402
出願日： 2004年10月08日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】 狭ギャップ化が可能で接続信頼性の高い突起電極を製造することができ、さらに端子間の接続については高価な異方性導電膜を用いることなく行うことができ、しかも接続信頼性の検査も容易に行えるようにした、半導体装置の製造方法とこれによって得られる半導体装置、及び回路基板、電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】 樹脂として感光性絶縁樹脂からなる層を形成する工程と、感光性絶縁樹脂層に露光処理、現像処理を施してパターニングするとともに、感光性絶縁樹脂層の上面が凸形状の曲面となるパターンの突起体4に形成する工程と、電極2上から突起体4の頂部にまで延びるパターンを有した配線部5を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電極と、前記電極よりも突出し、かつ樹脂により所定のパターンで形成された突起体と、前記電極に電気的に接続し、かつ前記突起体の上面に至る配線部と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂として感光性絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記感光性絶縁樹脂層に露光処理、現像処理を施してパターニングするとともに、前記感光性絶縁樹脂層の上面が凸形状の曲面となるパターンの突起体に形成する工程と、
前記電極上から前記突起体の頂部にまで延びるパターンを有した配線部を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/92 602E
, H01L21/92 604B
, H01L21/92 604C
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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