特許
J-GLOBAL ID：200903027291260056

窒化物系半導体レーザ装置

発明者：
板谷 和彦

板谷 和彦 について

, 
布上 真也

布上 真也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276926
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102690
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ナイトライド系半導体レーザにおいて、プロセスの再現性にも優れ、低しきい値・低動作電圧・高信頼性で動作が可能など特性の良いナイトライド系横モード制御構造を提供する。【解決手段】 障壁層となるInAlGaN層と井戸側層となるInAlGaN層が半導体レーザを形成する構成層の支配的な格子定数または基板の格子定数にそれぞれ略一致するか、または互いに歪を補償し、クラックの発生やピエゾ電界の発生を低減するように組成、厚さを設定し、また多重量子井戸構造16、あるいは超格子構造がAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N/In<SB>z</SB>Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y-z</SB>N(0<x、z≦1,0≦y<1)からなる対層から形成したり、この多重量子井戸構造16、あるいは超格子構造を少なくともn型クラッド層15に用いることで発光層としても発光効率や利得の高い窒化物系レーザを提供するものである。
請求項（抜粋）：
基板上に構成された少なくともInAlGaN(障壁層)/InAlGaN(井戸層)からなる多重量子井戸構造、あるいは超格子構造を有する窒化物系半導体レーザ装置において障壁層となるInAlGaN層か、井戸側層となるInAlGaN層が半導体レーザを形成する構成層の支配的な格子定数または基板の格子定数にそれぞれ略一致するか、または互いに歪を補償し、クラックの発生やピエゾ電界の発生を低減するように組成、厚さが形成されていることを特徴する窒化物系半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C
Fターム (15件)：
5F041AA09 ,  5F041AA43 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA44 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA06 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA05 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (6件)
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