特許

J-GLOBAL ID：200903027328481899

基板処理装置、半導体装置の製造方法、および加熱装置

発明者： 林田 晃 ,  上野 正昭 ,  島田 真一 ,  油谷 幸則 ,  山田 朋之 ,  中嶋 誠世 ,  杉下 雅士
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-303488
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172204
出願日： 2007年11月22日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】 基板処理の効率を改善する。【解決手段】 基板処理装置は、内部で基板を処理する反応管と、前記反応管の外周を囲うように設けられる加熱装置とを有し、前記反応管の内部で基板を処理する領域における側面に少なくともガス導入管が設けられ、前記加熱装置は、前記反応管を囲う断熱体と、前記断熱体に前記加熱装置の下端から前記ガス導入管を避けるように溝形状に形成される導入口と、前記断熱体と前記反応管との間に設けられる発熱体とを備えている。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

内部で基板を処理する反応管と、 前記反応管の外周を囲うように設けられる加熱装置とを有し、 前記反応管の内部で基板を処理する領域における側面に少なくともガス導入管が設けられ、 前記加熱装置は、 前記反応管を囲う断熱体と、前記断熱体に前記加熱装置の下端から前記ガス導入管を避けるように溝形状に形成される導入口と、前記断熱体と前記反応管との間に設けられる発熱体とを備えている基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/22

FI (5件)：

H01L21/31 E ,  H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  H01L21/324 R ,  H01L21/22 511S

Fターム (25件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EC07 ,  5F045EE20 ,  5F045EK06

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-240327   出願人：国際電気株式会社
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-178742   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-173223   出願人：株式会社東芝
• 基板熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042235   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-053690   出願人：光洋リンドバーグ株式会社

審査官引用 (5件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-178742   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-173223   出願人：株式会社東芝
• 基板熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042235   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-240327   出願人：国際電気株式会社
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-053690   出願人：光洋リンドバーグ株式会社