特許
J-GLOBAL ID：200903027358669221

半導体装置

発明者：
里 英昭

里 英昭 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-011554
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214591
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】半導体素子を接着固定する樹脂製接着剤やモールド樹脂が不要に大きく広がり、半導体素子の電極を所定のメタライズ配線層に確実、強固に電気的接続することができなかったり、半導体素子を気密に被覆することができない。【解決手段】上面に半導体素子3が搭載される搭載部1aと、該搭載部1aに搭載される半導体素子3の各電極が電気的に接続される複数個のメタライズ配線層2を有する絶縁基体1と、前記絶縁基体1の搭載部1aに樹脂製接着剤4を介して接着固定された半導体素子3と、少なくとも前記半導体素子3を被覆するモールド樹脂7とから成る半導体装置であって、前記絶縁基体1の表面にフッ素系界面活性剤から成る皮膜6を被着させた。
請求項（抜粋）：
上面に半導体素子が搭載される搭載部と、該搭載部に搭載される半導体素子の各電極が電気的に接続される複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の搭載部に樹脂製接着剤を介して接着固定された半導体素子と、少なくとも前記半導体素子を被覆するモールド樹脂とから成る半導体装置であって、前記絶縁基体の表面にフッ素系界面活性剤から成る皮膜を被着させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31
引用特許：
審査官引用 (4件)
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