特許
J-GLOBAL ID：200903027366297082
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127010
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】半導体ウェハの裏面にダイシングテープを接着してから切断用ブレードを用いて半導体チップを切断分離するに際して、半導体チップのダイシングテープとの接着部分にクラックが発生するのを防止する。【解決手段】切断用ブレードを回転移動して浅い溝を繰り返し形成してデバイスが形成された半導体ウエハを切断分離するときに、ブレードの幅をダイシング溝の深さに対応させて大から小に順次切り換えて複数の階段状のダイシング溝を形成して半導体チップを切断分離する。例えば、第1の切断用ブレードを用いて幅w1、深さd1の第1のダイシング溝11を形成し、次いで第2の切断用ブレードを用いて幅w2、深さd2の第2のダイシング溝1を形成し、最後に第3の切断用ブレードを用いて幅w3、深さd3の第3のダイシング溝13を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体チップの周辺形状が、ウェハから切断分離するダイシング溝の構造に対応してデバイスが形成された主表面から外周に向かって段階的に拡張された多段階の額縁状構造を有していることを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 21/78 F
, H01L 21/78 S
, H01L 21/78 M
