特許
J-GLOBAL ID：200903027410610990

無機反射防止膜を使った配線形成方法

発明者：
大内 雅彦

大内 雅彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015099
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216161
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 再工事が必要な場合に、ウェット処理(湿式剥離)や、プラズマアッシング処理を行っても、無機反射防止膜の膜質が変化しにくいようにする【解決手段】 TiNとARL-SiON(プラズマSiO2とプラズマSiONによる膜)を、金属積層膜上に積層し、また、ARL-SiON膜厚と膜質を、金属膜からの反射率を最小に抑えるよう最適化し、組成を後処理でフッ酸に溶け易いよう調整する。TiN、ARL-SiONによる積層反射防止膜と、その下の金属積層膜を連続して同一処理室にてドライエッチングする。そのときのエッチングガスの主成分は、金属膜のエッチングと同一の、塩素系ガス(Cl2、BCl3、HCl等、Clを含むガス)を組み合わせたものにする。また、Cl2、BCl3の組み合わせたガスを使う場合、その混合比を変える。
請求項（抜粋）：
金属配線層の上層に、TiN膜を設け、該TiN膜の上層に無機質からなるプラズマSiON膜を成膜し、該プラズマSiON膜の上層にプラズマSIO2膜を成膜させることを特徴とする無機反射防止膜を使った配線形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318
FI (3件)：
H01L 21/88 D ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/302 J
Fターム (56件)：
5F004AA08 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004EA06 ,  5F004EA10 ,  5F004EA22 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH09 ,  5F033HH33 ,  5F033KK09 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ98 ,  5F033XX21 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH12 ,  5F058BH13 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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