パターン形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065749
公開番号（公開出願番号）：特開2000-227665
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】パターン形成方法を提供する。【解決手段】下記工程(1)絶縁被膜形成用樹脂層の表面に感エネルギー線被膜層を積層した後、(2)所望のパターンが得られるように活性エネルギー線や熱線をマスクを介して照射もしくは直接に照射させ、(3)感エネルギー線被膜層を現像処理して感エネルギー線被膜層によるレジストパターン被膜を形成し、(4)更に、所望のパターンが得られるように絶縁被膜形成用樹脂層を現像処理により除去する工程を含むことを特徴するパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

下記工程(1)絶縁被膜形成用樹脂層の表面に感エネルギー線被膜層を積層した後、(2)所望のパターンが得られるように活性エネルギー線や熱線をマスクを介して照射もしくは直接に照射させ、(3)感エネルギー線被膜層を現像処理して感エネルギー線被膜層によるレジストパターン被膜を形成し、(4)更に、所望のパターンが得られるように絶縁被膜形成用樹脂層を現像処理により除去する工程を含むことを特徴するパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 521 , G03F 7/004 512 , H05K 3/00

FI (3件)：

G03F 7/40 521 , G03F 7/004 512 , H05K 3/00 G

Fターム (25件)：

2H025AA03 , 2H025AA20 , 2H025AB15 , 2H025AB17 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BC85 , 2H025CB43 , 2H025CB48 , 2H025DA29 , 2H025DA40 , 2H025EA08 , 2H025FA10 , 2H025FA28 , 2H025FA29 , 2H096AA27 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096CA05 , 2H096CA16 , 2H096EA04 , 2H096FA10 , 2H096HA01 , 2H096HA30

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭47-041374
基板のパターニング法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-279981 出願人：有限会社増山新技術研究所, シプレイ・ファーイースト株式会社
特開平1-260831

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