特許
J-GLOBAL ID：200903027462599987

単結晶引上装置のヒータ機構

発明者：
三田村 伸晃

三田村 伸晃 について

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上杉 敏治

上杉 敏治 について

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岩崎 淳

岩崎 淳 について

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竹安 志信

竹安 志信 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-351276
公開番号（公開出願番号）：特開平9-183689
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 本発明は単結晶引上装置において、ルツボ内の原料融液が漏れ出してもヒータ機構の電極に溶損等の不具合を与えず保護することを目的とする。【解決手段】 ヒータ12の下方に黒鉛製部材13を介して銅製等の電極14を接続し、この黒鉛製部材13に傘状のカバー部材15を取付けて垂下部15aで黒鉛製部材13の側面周囲を囲うことで、電極14に融液3が接触するのを防止する. 。また、黒鉛製部材13の長さは、ヒータ機構6が上昇した際、少なくともヒータ12下面が融液受皿7上の炉内に入り込む長さsとする。また、カバー部材15を黒鉛製部材13の外周に沿って上下に移動可能にしても良い。
請求項（抜粋）：
電極の上部に接続するヒータが炉内で上下動自在とされた単結晶引上装置のヒータ機構において、前記電極の上部のうち、前記ヒータが上昇した際少なくとも炉内に入り込む部分を黒鉛製部材としたことを特徴とする単結晶引上装置。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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