特許
J-GLOBAL ID：200903027479558958

半導体素子、有機トランジスタ、発光装置及び電気機器

発明者：
古川 忍

古川 忍 について

, 
今林 良太

今林 良太 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-117011
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324655
出願日： 2006年04月20日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】駆動電圧が低い有機トランジスタを提供することを課題とする。また、簡便に作製することができ、発光を得ることができる有機トランジスタを提供することを課題とする。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極のうち、正孔を注入する方の電極の一部として正孔輸送性を有する有機化合物と金属酸化物とからなる複合層を用い、電子を注入する方の電極の一部として電子輸送性を有する有機化合物とアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属からなる複合層とを用い、前記複合層がどちらも有機半導体層と接する構成を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、 有機化合物を含む半導体層と、 前記第1の電極と前記半導体層を電気的に絶縁する絶縁膜と、 前記半導体層に電子を注入する第2の電極と、 前記半導体層に正孔を注入する第3の電極とを有し、 前記第3の電極は少なくとも一部に正孔輸送性を有する有機化合物と金属酸化物とを含む第1の複合材料よりなる層を有し、 前記第2の電極は少なくとも一部に、電子輸送性を有する有機化合物とアルカリ金属又はアルカリ土類金属とを含む第2の複合材料よりなる層を有し、 前記第1の複合材料よりなる層及び前記第2の複合材料よりなる層は前記半導体層に接することを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 622 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z
Fターム (59件)：
3K107AA02 ,  3K107BB01 ,  3K107CC12 ,  3K107CC14 ,  3K107CC36 ,  3K107CC45 ,  3K107DD72 ,  3K107DD73 ,  3K107DD75 ,  3K107DD76 ,  3K107DD78 ,  3K107DD84 ,  3K107DD86 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK11 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM12
引用特許：
審査官引用 (7件)
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