特許
J-GLOBAL ID：200903032473960286
薄膜トランジスタの製造方法およびレーザアニール装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-249357
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077333
出願日： 1998年09月03日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 液晶ディスプレイの薄膜トランジスタアレイに用いられる半導体薄膜をレーザアニールによって結晶化させる際に、生産性を高く、移動度を高くかつバラツキを少なくすることを目的とする。【解決手段】 YLF結晶を用いるレーザ装置1から出射されるレーザ光を反射鏡2及び2枚のKDP結晶からなる高調波変換装置3を通させ、レーザ装置から出射されるレーザ光の波長を3倍高調波に変換し、高調波変換されたレーザ光9を光減衰器4を用いて所定のエネルギーまで減衰する。その後、減衰されたレーザ光9をビームの整形および均一化を行う均一化装置5を通して、所定の形に整形するとともに、均一な強度分布をもつレーザ光9にしてガラス基板8上に形成された非晶質Si膜を溶融、結晶化し、多結晶Si膜を形成する。
請求項（抜粋）：
母材結晶としてYLF、YVO4、アレキサンドライト結晶、ガーネット結晶またはサファイア結晶を用いるレーザ装置から出射されるレーザ光の2倍、3倍または4倍高調波を照射することにより非単結晶質半導体膜を溶融、結晶化させ、多結晶半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 21/268
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 21/268 J
, H01L 29/78 627 G
2H092JA24
, 2H092KA04
, 2H092MA30
, 2H092NA24
, 2H092NA27
, 2H092NA29
, 2H092NA30
, 2H092PA01
, 5F052AA02
, 5F052AA11
, 5F052BA07
, 5F052BB03
, 5F052BB07
, 5F052CA10
, 5F052DA02
, 5F052DB03
, 5F052HA01
, 5F052JA10
