特許
J-GLOBAL ID：200903027558179717
半導体装置
出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社
NECエレクトロニクス株式会社 について
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-215608
公開番号（公開出願番号）：特開2007-033177
出願日： 2005年07月26日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 ボロメータが規定外の抵抗値を持つ場合であっても、並列処理を行っている他の読出し回路へ影響を与えないようにする。【解決手段】 D/A変換器7の出力に非反転入力端子が接続されるオペアンプ5と、ゲートがオペアンプ5の出力端子に接続され、ソースがオペアンプ5の反転入力端子と水平スイッチ3を介してボロメータ1とに接続されるMOSトランジスタ4と、MOSトランジスタ4のゲートとソース間に挿入されるスイッチ6と、を備える。D/A変換器7は、ボロメータ1にバイアス電圧を与えるためのデータを入力し、バイアス電圧を出力する。少なくともD/A変換器7の出力電圧が所定の範囲外となる場合、すなわちD/A変換器7の入力データが所定のデータである場合、入力データをデコーダ8でデコードし、NOR回路9aの出力によって、水平スイッチ3を開放してスイッチ6を短絡するように制御する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
物理量を抵抗値に変換する測定抵抗体と、
前記測定抵抗体に接続され、前記測定抵抗体を導通可能とする第1のスイッチ素子と、
前記測定抵抗体にバイアス電圧を印加するバイアス回路と、
前記測定抵抗体に流れる電流を積分して蓄積する積分回路と、
を備え、前記積分回路の蓄積された電流に基づいて、前記測定抵抗体の抵抗値の変化を検出し、前記物理量を間接的に測定する半導体装置であって、
前記バイアス回路は、
非反転入力端子がバイアス電圧供給端子に接続されるオペアンプと、
ゲートが前記オペアンプの出力端子に接続され、ソースが前記オペアンプの反転入力端子と前記第1のスイッチ素子を介して前記各測定抵抗体とに接続されるMOSトランジスタと、
前記MOSトランジスタのゲートとソース間に挿入される第2のスイッチ素子と、
を備える回路であって、
前記物理量を測定する際に、抵抗値が所定の範囲外となる抵抗測定体が選択された場合には、前記第1のスイッチ素子を開放して前記第2のスイッチ素子を短絡するように制御するスイッチ制御回路を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
FI (6件)：
Fターム (20件)：
2G065AA04
, 2G065AB02
, 2G065BA12
, 2G065BA34
, 2G065BC02
, 2G065BC15
, 2G065CA12
, 2G065CA30
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA14
, 4M118DD09
, 4M118DD12
, 4M118FB08
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118GA10
, 5C024AX06
, 5C024HX44
引用特許：
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