特許
J-GLOBAL ID：200903027614720493
半導体発光素子および半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-317038
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123731
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】発光効率が高く、演色性が高い半導体発光素子および半導体発光装置を提供することを可能にする。【解決手段】基板1上に設けられた第1導電型半導体からなる第1半導体層4と、第1半導体層上に設けられた第2導電型半導体からなる第2半導体層8と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられ、第1および第2半導体層の半導体の禁止帯幅より小さい禁止帯幅を有する半導体材料の複数の量子ドット6aを含み、駆動電流に応じて基底準位あるいは励起準位に対応した波長の光を発光する発光層6と、を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた第1導電型半導体からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層上に設けられた第2導電型半導体からなる第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、前記第1および第2半導体層の半導体の禁止帯幅より小さい禁止帯幅を有する半導体材料の複数の量子ドットを含み、駆動電流に応じて基底準位あるいは励起準位に対応した波長の光を発光する発光層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/32
, H01L 33/00
, H01S 5/183
H01S5/32
, H01L33/00 F
, H01S5/183
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA88
, 5F041CB15
, 5F041CB25
, 5F041CB27
, 5F041FF01
, 5F041FF11
, 5F041FF14
, 5F173AA08
, 5F173AC03
, 5F173AC04
, 5F173AC13
, 5F173AC14
, 5F173AD06
, 5F173AF08
, 5F173AG05
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AK22
, 5F173AP33
, 5F173AP38
, 5F173AR06
, 5F173AR07
, 5F173AR23
出願人引用 (3件)
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発光ダイオード
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-336011
出願人：日亜化学工業株式会社
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発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-371354
出願人：日亜化学工業株式会社
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多波長発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-375326
出願人：三菱電線工業株式会社
審査官引用 (3件)
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半導体波長変換素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-140764
出願人：日本電気株式会社
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量子ダッシュデバイス
公報種別：公表公報
出願番号：特願2002-529818
出願人：サイエンスアンドテクノロジーコーポレーション@ユーエヌエム
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量子ドットレーザ
公報種別：公表公報
出願番号：特願2002-558378
出願人：サイエンスアンドテクノロジーコーポレーション@ユーエヌエム
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