集積回路の金属層間の低抵抗コンタクトおよびその形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191112
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087509
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】導電性の高いICの金属層間配線の形成方法を提供する。【解決手段】本発明による金属層間の低抵抗ビア配線の形成方法は、側壁表面(42)を有し、誘電性中間層(36)を貫通して金属層(32)の選択されたエリア(44)を露出する集積回路(IC)ビアにおいて、金属層間の低抵抗ビア配線を形成する方法であって、a)該ビアの上にバリア層材料を共形的に堆積させることによって、該ビアの該側壁表面および該金属層の該選択されたエリアの上にバリア層(46)を形成する工程と、b)異方的にエッチングを行い、該ビアの該側壁表面(42)上に堆積した該バリア層は除去せず、該金属層の該選択されたエリア(44)上に堆積した該バリア層(46)を選択的に除去して、これにより、バリア表面側壁を有するビアが、該金属層(32)を続いて堆積される金属層(48)と直接接続するために準備される工程と、を包含する。

請求項（抜粋）：

側壁表面を有し、誘電性中間層を貫通して金属層の選択されたエリアを露出する集積回路(IC)ビアにおいて、金属層間の低抵抗ビア配線を形成する方法であって、a)該ビアの上にバリア層材料を共形的に堆積させることによって、該ビアの該側壁表面および該金属層の該選択されたエリアの上にバリア層を形成する工程と、b)異方的にエッチングを行い、該ビアの該側壁表面上に堆積した該バリア層は除去せず、該金属層の該選択されたエリア上に堆積した該バリア層を選択的に除去して、これにより、バリア表面側壁を有するビアが、該金属層を続いて堆積される金属層と直接接続するために準備される工程と、を含む金属層間の低抵抗ビア配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 D , H01L 21/28 301 R

引用特許：

審査官引用 (8件)

多層配線構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-049935 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-010852 出願人：日本電信電話株式会社
特開平4-286330

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