特許
J-GLOBAL ID：200903027769078771
窒化物半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-201003
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024713
出願日： 2004年07月07日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】長期間安定して高出力動作の可能な窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体素子は、n型GaN基板601と、n型GaN基板601上に設けられた窒化物半導体の積層構造とを備え、この積層構造は、n型GaN基板601の格子定数よりも大きな格子定数を有するGaInN多重量子井戸活性層605と、n型GaN基板601とGaInN多重量子井戸活性層605との間に位置するn型GaNコンタクト層602とを有している。n型GaNコンタクト層602は、n型GaN基板601の転位密度よりも高い転位密度を有する欠陥導入領域614を含んでいる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板上に設けられた窒化物半導体の積層構造と、
を備えた窒化物半導体素子であって、
前記積層構造は、
前記窒化物半導体基板の格子定数よりも大きな格子定数を有する第1窒化物半導体層と、
前記半導体基板と前記第1窒化物半導体層との間に位置する第2窒化物半導体層と、
を有しており、
前記第2窒化物半導体層は、前記窒化物半導体基板の転位密度よりも高い転位密度を有する欠陥導入領域を含んでいる、窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/343 610
, H01L21/205
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD13
, 5F045AF04
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA52
, 5F045HA02
, 5F173AA08
, 5F173AF72
, 5F173AG11
, 5F173AG21
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AH47
, 5F173AP04
, 5F173AP09
, 5F173AP12
, 5F173AP23
, 5F173AP62
