窒化物半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩谷龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169440
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368343
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】本発明は、劈開端面が平坦で、動作中に生じるレーザ端面の破壊を抑制でき、その結果として寿命の長い窒化物半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】活性層とキャップ層との間に応力集中抑制層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。

請求項（抜粋）：

活性層とキャップ層との間に、応力集中抑制層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/343 610 , H01S 5/20 610

FI (2件)：

H01S 5/343 610 , H01S 5/20 610

Fターム (7件)：

5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073CA17 , 5F073CB08 , 5F073DA32 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (9件)

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