特許
J-GLOBAL ID：200903027839286814
磁気抵抗効果素子およびこれを用いた磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089027
公開番号（公開出願番号）：特開2003-283001
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 サイズを小さくしても、MR比が大きく、スイッチング磁界が小さく、熱安定性に優れた信頼性ある磁気抵抗効果素子を提供すことを可能にする。【解決手段】 単層の強磁性層からなる記憶層と、少なくとも1層の強磁性層を有する磁性膜と、前記記憶層と前記磁性膜との間に設けられたトンネルバリア層と、を備え、前記記憶層の強磁性層は、Ni-Fe-Co三元合金からなり、Ni-Fe-Co三元状態図において、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%) Ni35(at%)の直線が囲む内側の組成領域およびFe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe70(at%)Ni30(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線が囲む内側の組成領域のうちのいずれか一方の組成領域から選ばれる組成を有し、前記記憶層と前記トンネルバリア層の界面および前記磁性膜と前記トンネルバリア層の界面における最大表面粗さが0.4nm以上である。
請求項（抜粋）：
単層の強磁性層からなる記憶層と、少なくとも1層の強磁性層を有する磁性膜と、前記記憶層と前記磁性膜との間に設けられたトンネルバリア層と、を備え、前記記憶層の強磁性層は、Ni-Fe-Co三元合金からなり、Ni-Fe-Co三元状態図において、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線、Fe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)の直線が囲む内側の組成領域およびFe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe70(at%)Ni30(at%)の直線、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)の直線が囲む内側の組成領域のうちのいずれか一方の組成領域から選ばれる組成を有し、前記記憶層と前記トンネルバリア層の界面および前記磁性膜と前記トンネルバリア層の界面における最大表面粗さが0.4nm以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G11C 11/15 110
, G11C 11/15 150
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 27/105
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 M
, G11C 11/15 110
, G11C 11/15 150
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 27/10 447
5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5F083FZ10
, 5F083GA12
, 5F083GA27
, 5F083HA02
, 5F083JA14
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083KA01
, 5F083ZA21
