特許
J-GLOBAL ID:200903027863294585

半導体装置、電子装置及び電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-222304
公開番号(公開出願番号):特開2008-047725
出願日: 2006年08月17日
公開日(公表日): 2008年02月28日
要約:
【課題】特性に優れる(特にオンオフ比が大きい)有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子装置および電子機器を提供すること。【解決手段】薄膜トランジスタ(有機半導体装置)1は、ソース電極20aおよびドレイン電極20bと、有機半導体材料で構成された有機半導体層30と、有機半導体層30に電界をかけるゲート電極50と、ゲート電極50に対してソース電極20aおよびドレイン電極20bを絶縁するゲート絶縁層40と、有機半導体層30のゲート絶縁層40と反対側に接触して設けられ、ポリエステルを含む樹脂材料で構成された下地層(第2の絶縁層)60とを有する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
有機半導体材料で構成された有機半導体層と、 前記有機半導体層に電界を印加するためのゲート電極と、 前記ゲート電極と前記有機半導体層とを絶縁する第1の絶縁層と、 第2の絶縁層と、を含み、 前記有機半導体層は、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に配置され、 前記第2の絶縁層は、フルオレン骨格を有する重合体により構成されていること、 を特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (5件):
H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280
Fターム (40件):
5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE42 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK38 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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