半導体発光素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-276205
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160650
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】素子特性の再現性が高くかつ歩留りが向上した半導体発光素子を提供することである。【解決手段】第1コンタクト層4の一部側面およびn側電極132を除く電極形成面11、各層5〜8の側面、第2クラッド層8の上面ならびにリッジ部10の側面にSiNx 膜12aが形成される。SiNx 膜12a上にSiOy 膜12bが形成される。SiNx 膜12aおよびSiOy 膜12bにより誘電体膜12Aが構成される。

請求項（抜粋）：

発光層を含む窒化物系半導体層の表面に誘電体膜が形成された半導体発光素子において、前記誘電体膜は、前記窒化物系半導体層との界面側に窒化物を含みかつ前記窒化物系半導体層と反対側に酸化物を含むことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/028 , H01L 33/00 , H01S 5/22

FI (3件)：

H01S 5/028 , H01L 33/00 C , H01S 5/22

Fターム (19件)：

5F041AA41 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CB36 , 5F041FF16 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA25

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子および半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-293035 出願人：ソニー株式会社
薄膜パターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055209 出願人：京セラ株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-095038 出願人：株式会社日立製作所

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