特許
J-GLOBAL ID：200903012167601476
半導体素子および半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293035
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126947
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 電極の密着性を改善することができる半導体素子を提供する。【解決手段】 サファイアよりなる基板10の上にIII族ナイトライド化合物半導体よりそれぞれなるn側コンタクト層13,n型クラッド層14,活性層15,p型クラッド層16,p側コンタクト層17を順次積層する。p側コンタクト層17の上には絶縁膜18の開口18aを介してp側電極19が形成され、p側電極19および絶縁層18の上にはp側電極19の全面を覆うようにコンタクト用電極20が形成される。p側電極19はNiを含む金属により構成し、コンタクト用電極20はTiを含む金属により構成する。p側電極19によりオーミック接触を確保し、コンタクト用電極20によりp側電極19の密着性を補強する。
請求項（抜粋）：
半導体層に対して電極が設けられた半導体素子であって、前記電極の少なくとも一部を覆うことにより前記電極の密着性を補強する補強層を備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (8件)
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窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-067632
出願人：日亜化学工業株式会社
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特開昭60-196937
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特開昭60-196937
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