特許
J-GLOBAL ID：200903027929574487

レジストパターン形成方法

発明者：
竹下 優

竹下 優 について

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岩下 淳

岩下 淳 について

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阿部 翔

阿部 翔 について

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安藤 友之

安藤 友之 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-009348
公開番号（公開出願番号）：特開2009-169267
出願日： 2008年01月18日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：
【課題】表面に反射防止膜が形成された支持体上に、第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにより良好なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】表面に反射防止膜が形成された支持体1の前記反射防止膜1b上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成し、該第一のレジスト膜を選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン3を形成する第一のパターニング工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体表面の疎水化処理を行う疎水化処理工程と、前記疎水化処理工程後の前記支持体上に、第二のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成し、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、現像してレジストパターン7を形成する第二のパターニング工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に反射防止膜が形成された支持体の前記反射防止膜上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜を選択的に露光し、現像して第一のレジストパターンを形成する第一のパターニング工程と、 前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体表面の疎水化処理を行う疎水化処理工程と、 前記疎水化処理工程後の前記支持体上に、第二のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、現像してレジストパターンを形成する第二のパターニング工程と を有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038
FI (7件)：
G03F7/40 511 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/30 514A ,  H01L21/30 573 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601
Fターム (32件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA31 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA06 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA02 ,  2H096JA02 ,  2H096JA04 ,  5F046AA11 ,  5F046LA18 ,  5F046NA01 ,  5F046NA07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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