特許
J-GLOBAL ID：200903027946255913

窒化物半導体材料、半導体素子およびその製造方法

発明者：
瀧澤 俊幸

瀧澤 俊幸 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-144701
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317805
出願日： 2006年05月24日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】素子の動作特性に対して最適なバンド構造を設計することのできる窒化物半導体材料、半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る窒化物半導体材料は、III族窒化物半導体104と、III族窒化物半導体104上に形成されるIV族窒化物106とを備え、III族窒化物半導体104とIV族窒化物106との界面105は規則的な原子配列を有する。また、界面105におけるIV族窒化物106の窒素原子の配列と、界面105におけるIII族窒化物半導体104のIII族原子の配列とが実質的に等しくてもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体と、 前記III族窒化物半導体上に形成されるIV族窒化物とを含み、 前記III族窒化物半導体と前記IV族窒化物との界面は規則的な原子配列を有する ことを特徴とする窒化物半導体材料。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 B ,  H01L21/205 ,  H01L21/318 B
Fターム (37件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045CA06 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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