特許
J-GLOBAL ID：200903027961980870
半導体レーザダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-043863
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237934
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】極めて簡単な工程で、高性能の半導体レーザダイオードを製造する。【解決手段】単結晶サファイア基板上に、レーザ素子を成す半導体の多重層を形成した後、上記単結晶サファイア基板及び多重層を、サファイアのR面に沿って劈開して多数個に分割する工程から半導体レーザダイオードを製造する。
請求項（抜粋）：
R面に沿った二つの劈開面を有する単結晶サファイア板の主面上に、レーザ素子を成す半導体の多重層を備え、該多重層におけるレーザ光の共振器を成す二つの対向端面が、上記単結晶サファイア板のR面に沿った劈開面に連なることを特徴とする半導体レーザダイオード。
引用特許：
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