特許
J-GLOBAL ID:200903028018901630
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、および磁気再生装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-318918
公開番号(公開出願番号):特開2005-086112
出願日: 2003年09月10日
公開日(公表日): 2005年03月31日
要約:
【課題】電流狭窄効果を弱めること無く高効率にして高い出力を得ることができ、かつ高いブレークダウン電圧を有する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を具備する磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、および磁気再生装置を提供する。【解決手段】磁化自由層と、非磁性中間層と、磁化固着層とからなるユニットを2つ備え、各ユニットにより1つの磁化自由層を共有するデュアルスピンバルブ構造によりCPP型磁気抵抗効果素子を形成する。そして、各ユニットに電流制御層を一層ずつ形成することで電流狭窄効果を弱めること無く磁気抵抗効果素子のブレークダウン電圧を上昇させ、高い素子出力を得るとともに信頼性を向上させる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
複数の導電性層の積層面に垂直にセンス電流を流すCPP(Current Perpendicular-to-the-Plane)方式による磁気抵抗効果素子であり、磁化自由層と第1の磁化固着層とを備える第1のユニットおよび磁化自由層と第2の磁化固着層とを備える第2のユニットを具備し、前記磁化自由層が前記第1および第2のユニットに共用されるデュアルスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子であって、
前記第1のユニットに設けられ前記センス電流の流量を制限する第1の電流制御層と、
前記第2のユニットに設けられ前記センス電流の流量を制限する第2の電流制御層とを具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (4件):
5D034BA03
, 5D034BA06
, 5D034BA15
, 5D034CA00
引用特許: