磁気メモリ及び磁気メモリ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-097761
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298023
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】大容量化した場合でも比較的低い消費電力で情報を書き込むこと及び十分に大きな出力信号を得ることが可能な磁気メモリを提供すること。【解決手段】本発明の磁気メモリは、磁気抵抗効果素子2a,2bとそれらの間に介在した共通配線3とを具備し、素子2aは偶数の強磁性層21を非磁性層22を介して積層してなる積層体を含んだピン層12aと1つの強磁性層または複数の強磁性層を非磁性層を介して積層してなる積層体を含んだフリー層11aとを備え、素子2bは1つの強磁性層21または3つ以上の奇数の強磁性層21を非磁性層22を介して積層してなる積層体を含んだピン層12bと1つの強磁性層または複数の強磁性層を非磁性層を介して積層してなる積層体を含んだフリー層11bとを備え、フリー層11aが含む強磁性層の数及びフリー層11bが含む強磁性層の数は何れも奇数であるか或いは何れも偶数であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

互いに対向した第1及び第2磁気抵抗効果素子と、前記第1及び第2磁気抵抗効果素子間に介在した共通配線と、前記共通配線に対して前記第1磁気抵抗効果素子を挟んで交差した第1配線と、前記共通配線に対して前記第2磁気抵抗効果素子を挟んで交差した第2配線とを具備し、前記第1磁気抵抗効果素子は、偶数の強磁性層を非磁性層を介して積層してなる積層体を含むとともに前記共通配線と前記第1配線とに書き込み電流を流すことにより生じる第1磁界を印加した際に磁化の向きを維持する第1ピン層と、前記第1ピン層及び前記共通配線間に介在し且つ1つの強磁性層または複数の強磁性層を非磁性層を介して積層してなる積層体を含むとともに前記第1磁界を印加した際に磁化の向きが反転し得る第1フリー層とを備え、前記第2磁気抵抗効果素子は、1つの強磁性層または3つ以上の奇数の強磁性層を非磁性層を介して積層してなる積層体を含むとともに前記共通配線と前記第2配線とに書き込み電流を流すことにより生じる第2磁界を印加した際に磁化の向きを維持する第2ピン層と、前記第2ピン層及び前記共通配線間に介在し且つ1つの強磁性層または複数の強磁性層を非磁性層を介して積層してなる積層体を含むとともに前記第2磁界を印加した際に磁化の向きが反転し得る第2フリー層とを備え、前記第1フリー層が含む前記強磁性層の数及び前記第2フリー層が含む前記強磁性層の数は何れも奇数であるか或いは何れも偶数であることを特徴とする磁気メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , G11C 11/15 110 , H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 110 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (13件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA05 , 5F083LA03 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (5件)

磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-026909 出願人：三菱電機株式会社, 猪俣浩一郎
磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-286653 出願人：株式会社東芝
磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-085565 出願人：シャープ株式会社

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審査官引用 (5件)

磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-026909 出願人：三菱電機株式会社, 猪俣浩一郎
磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-286653 出願人：株式会社東芝
磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-085565 出願人：シャープ株式会社

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