特許
J-GLOBAL ID：200903028023853660
モノリシックOEIC用埋め込み光電子材料を備えたシリコンウエハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-518590
公開番号（公開出願番号）：特表2004-506336
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
Siウエハに埋め込まれた光学活性層を有する構造であり、CMOS加工装置に露出される外側のエピタキシャル層が常にSiまたは他のSiO2などのCMOS対応材料となっている。光電子層が完全にSiに取り囲まれているため、ウエハは十分に標準SiCMOS製造に対応する。Siのバンドギャップ(1.1μm)より長い光の波長に対してSiが完全に透明であるため、光信号は、通常の入射(Si基板または上部Siキャップ層を介する)または面内入射(端部結合)のいずれかを利用して、埋め込み光電子層と外部導波路との間を透過することができる。
請求項（抜粋）：
半導体へテロ構造であって、
Si基板と、
前記基板上の光学活性半導体材料であって、該光学活性半導体材料が前記基板に対して格子不整合であるとともに実質的に緩和されている、光学活性半導体材料と、
前記光学活性半導体材料上のキャップ層であって、該キャップ層がSiからなる、キャップ層と、
を備えることを特徴とする半導体へテロ構造。
IPC (4件)：
H01L21/20
, H01L21/02
, H01L27/15
, H01L29/26
H01L21/20
, H01L21/02 B
, H01L27/15
, H01L29/26
5F052DA01
, 5F052DA03
, 5F052DA04
, 5F052DA05
, 5F052EA02
, 5F052JA01
, 5F052JA04
, 5F052JA08
, 5F052KA01
, 5F052KB01
