特許
J-GLOBAL ID：200903028145934823
半導体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-398760
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033465
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 製造工程の簡略化が図られ高いスループットで独立した半導体薄膜を形成することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供することである。【解決手段】 SiCウエハ1の所定深さの領域に水素イオンを注入し水素イオン注入領域2を形成する。このように水素イオンを注入すると同時に、SiCウエハ1にXeClエキシマレーザ光を照射する。それにより、切断面3において表面層4が剥離してSiC薄膜が形成される。形成されたSiC薄膜は、レーザ光によりアニールされているため、イオン注入時に受けた損傷が十分に回復され良好な結晶性を有する。
請求項（抜粋）：
半導体結晶の表面から所定深さの領域に所定の元素をイオン注入してイオン注入領域を形成する工程と、前記半導体結晶に連続的または断続的にレーザ光を照射することにより前記半導体結晶の表面層を前記イオン注入領域において剥離させて半導体薄膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/265
, H01L 21/265 602
, H01L 21/268
H01L 27/12 B
, H01L 21/265 602 C
, H01L 21/268 E
, H01L 21/265 Q
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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