特許
J-GLOBAL ID：200903011914152418

半導体基板及び半導体基板の製造方法

発明者：
山内 庄一

山内 庄一 について

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松井 正樹

松井 正樹 について

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大島 久純

大島 久純 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-147939
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097379
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の向上を実現した半導体基板を提供すること、並びに高品質の半導体基板を歩留まりの低下を来たすことなく製造できるようにすること。【解決手段】 (a)単結晶シリコン基板11上に汚染保護膜12を形成する保護膜形成工程、(b)単結晶シリコン基板11にイオン注入層13を形成するイオン注入工程、(c)汚染保護膜12を除去する保護膜除去工程、(d)ベース基板14上に絶縁膜15を形成する絶縁膜形成工程、(e)・(f)単結晶シリコン基板11のイオン注入側の表面並びにベース基板14側の絶縁膜15の表面に親水化処理を施す親水化処理工程、(g)単結晶シリコン基板11及びベース基板14を親水化処理面で貼り合わせる貼り合わせ工程、(h)熱処理により単結晶シリコン基板11をイオン注入層13部分で剥離して単結晶シリコン薄膜11bを形成する剥離工程などを行い、SOI基板16を完成させる。
請求項（抜粋）：
ベース基板(14)上に、当該ベース基板(14)と電気的に絶縁した状態で素子形成用の半導体層(11b)を設けて成る半導体基板(16)であって、前記ベース基板(14)上に、所定深さにイオン注入層(13)が形成された半導体基板材料(11)のイオン注入側の面を貼り合わせ、この貼り合わせ状態で熱処理を行うことにより、前記半導体基板材料(11)を前記イオン注入層(13)により形成される欠陥層領域部分で剥離して前記半導体層(11b)を形成するようにした半導体基板(16)において、前記半導体層(11b)と前記ベース基板(14)とが、直接または自然酸化膜(11a、14a)を介して接合されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
H01L 21/265 ,  H01L 27/12
FI (2件)：
H01L 21/265 Q ,  H01L 27/12 B
引用特許：
審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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