特許
J-GLOBAL ID：200903028146342563

半導体装置の作製方法

発明者：
高山 徹

高山 徹 について

, 
丸山 哲紀

丸山 哲紀 について

, 
▲ひろ▼瀬 貴史

▲ひろ▼瀬 貴史 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-360199
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231728
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】TFTを用いて作製されるアクティブマトリクス型液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、大型高精細化に伴う配線の低抵抗化を実現する。【解決手段】ゲート電極およびソース線の抵抗をあげないために、活性化のための加熱処理を酸素濃度を低減し、酸素濃度が20ppm以下にした減圧雰囲気下で行うため、ゲート電極およびソース線の酸化を防止することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁体上に形成された半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第1の工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極およびソース線を形成する第2の工程と、前記ゲート電極をマスクにして前記半導体層にn型不純物元素を添加する第3の工程と、後のnチャネル型TFTになる領域にマスクを形成し、後のpチャネル型TFTの活性層となる半導体層にp型不純物元素を添加する第4の工程と、前記半導体層に添加された不純物元素を活性化するための加熱処理を行う第5の工程と、前記ソース線に沿ってかつ接する補助配線を形成する第6の工程と、を含む半導体装置の作製方法であって、前記活性化処理は、酸素濃度が20ppm以下の雰囲気で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 330 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786
FI (11件)：
G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 F ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 616 L
Fターム (161件)：
2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA28 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB40 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD65 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16 ,  5C094AA10 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM19 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX08 ,  5F052AA02 ,  5F052AA12 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA15 ,  5F052FA06 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM