特許
J-GLOBAL ID：200903028186867995
試料解析方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-167931
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012208
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】 半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング(摘出)して、分析/計測装置の試料ステ-ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント(搭載)する試料作製方法およびその装置を提供すること。【解決手段】 FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。【効果】 分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
目的とする試料片を観察、分析、計測のうちの少なくともいずれかによって調べる試料解析方法であって、試料基板を検査手段によって検出した異物や欠陥など所望箇所の座標情報を記憶する工程と、上記所望箇所の座標情報を基にして上記試料基板から上記所望箇所を含む試料片を集束イオンビームによる加工を利用して摘出して、上記摘出した上記試料片を分析装置または観察装置または計測装置のうちの少なくともいずれかに対応する試料ホルダに固定し、上記試料ホルダに固定した上記試料片を分析または観察または計測のうちの少なくともいずれかに適する形状に加工する工程と、上記試料片を固定した上記試料ホルダを分析装置または観察装置または計測装置のうちの少なくともいずれかに導入して上記所望箇所の解析を行なう工程とからなることを特徴とする試料解析方法。
IPC (7件)：
H01L21/66
, G01N1/28
, G01N21/956
, G01N23/225
, H01J37/26
, H01J37/28
, H01J37/317
H01L21/66 N
, G01N21/956 A
, G01N23/225
, H01J37/26
, H01J37/28 B
, H01J37/317 D
, G01N1/28 F
, G01N1/28 G
2G001AA03
, 2G001AA05
, 2G001AA07
, 2G001AA10
, 2G001BA06
, 2G001BA07
, 2G001BA09
, 2G001BA15
, 2G001BA29
, 2G001BA30
, 2G001CA03
, 2G001CA05
, 2G001CA07
, 2G001CA10
, 2G001DA01
, 2G001DA09
, 2G001FA01
, 2G001FA06
, 2G001GA04
, 2G001GA06
, 2G001GA13
, 2G001HA13
, 2G001JA13
, 2G001KA01
, 2G001KA03
, 2G001KA20
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001PA07
, 2G001PA11
, 2G001PA14
, 2G001PA15
, 2G001QA01
, 2G001QA03
, 2G001RA04
, 2G001RA06
, 2G001RA08
, 2G001RA20
, 2G051AA51
, 2G051AB02
, 2G051AC12
, 2G051AC15
, 2G051DA01
, 2G051DA15
, 2G052AA13
, 2G052AD32
, 2G052AD52
, 2G052CA03
, 2G052CA04
, 2G052CA05
, 2G052CA08
, 2G052CA46
, 2G052DA33
, 2G052EC14
, 2G052EC18
, 2G052EC22
, 2G052FD20
, 2G052GA34
, 2G052GA35
, 2G052JA07
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106BA03
, 4M106CA38
, 4M106CA41
, 4M106DB18
, 4M106DH60
, 5C033SS02
, 5C033UU03
, 5C034DD09
