基材処理方法、基材処理装置及び電子デバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-202409
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134401
出願日： 2001年07月03日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】レジスト材料に代表される有機物を、好適に、残渣なく、より速やかに処理することが可能な基材処理方法を提供する。【解決手段】処理すべき基材にまず紫外線を照射する。そして処理すべき基材に紫外線を照射した後は、この基材を、オゾンガスを含む気体雰囲気下に移動させ、このオゾンガスを含む気体雰囲気下で、水蒸気、水又はオゾン含有水を接触させる。このようにオゾンガスを含む気体雰囲気下で、水蒸気、水又はオゾン含有水を接触させれば、基材表面に付着する有機物を分解及び除去することが可能になる。

請求項（抜粋）：

処理すべき基材に紫外線を照射し、次いでこの基材に、オゾンガスを含む気体雰囲気下で、水蒸気、水又はオゾン含有水を接触させることにより、基材表面に付着する有機物を分解及び除去することを特徴とする基材処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/42 , H01L 21/304 645 , H01L 21/304 647 , H01L 21/306

FI (7件)：

G03F 7/42 , H01L 21/304 645 D , H01L 21/304 647 Z , H01L 21/30 572 B , H01L 21/306 D , H01L 21/30 572 Z , H01L 21/30 572 A

Fターム (12件)：

2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096CA06 , 2H096JA04 , 2H096LA02 , 5F043AA40 , 5F043BB30 , 5F043CC16 , 5F043DD10 , 5F043GG10 , 5F046MA05 , 5F046MA13

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平4-342127
特開平4-342127
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-320250 出願人：株式会社日立製作所

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